加工碳化硅设备网

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇艾邦

2023年11月30日宇晶股份近日在调研中表示，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要用于加工单晶碳化硅抛光片，目前公司生产的碳化硅切、磨、抛设备已实现批量销售。

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线

多达数十家，SiC关键设备企业图谱知乎

2024年2月18日碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。以新能源汽车为例，当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新能源汽车中占据主导地位，但硅基功率器件经过数十年的发展已经接近材料极限，性能上很难更进一步。相较之下，碳化硅替代硅应用于新能源汽车，可大幅提升汽车的

碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势艾邦半导体网

3 天之前碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削/研磨以及抛光，其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化硅衬底最终加工质量优劣的关键工序由于碳化硅被视为典型的硬脆性难加工材料，其加工过程面临着效率低、成本高以及对环境不友好等问题为了获得满足要求的碳化硅衬底，研究人员开发了多种精密磨抛加工技术，根据材料去除方式的不同可以分为以机械去除为主

半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；知乎专栏

2024年2月18日从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低

大尺寸碳化硅激光切片设备与技术艾邦半导体网

4 天之前近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。不仅解决了碳化硅切割材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。来源：南京大学官网 SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的第一

「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现

2024年3月7日文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力，并邀请业界人士参加PME CHINA 2024，以探索更多相关技术和解决方案

「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现

国际金属加工网 2024年03月07日碳化硅（SiC），是一种具有显著物理和化学特性的无机非金属材料，以其高硬度、抗腐蚀能力、耐高温性能和良好的化学稳定性而著称。这些特性使其在汽车、航空航天、电力电子、通信、军事和医疗设备等关键领域中发挥

机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速

2023年2月27日碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是新能源领域的理想材料。新能源汽车、光伏、风电等市场需求驱动，Yole预计2027年全球碳化硅功率器件市场将增长6297亿美元，CAGR

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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率，显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线

多达数十家，SiC关键设备企业图谱知乎

2024年2月18日碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。以新能源汽车为例，当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新能源汽车中占据主导地位，但硅基功率器件经过数十年的发展已经接近材料极限，性能上很难更进一步。相较之下，碳化硅替代硅应用于新能源汽车，可大幅提升汽车的

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3 天之前碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削/研磨以及抛光，其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化硅衬底最终加工质量优劣的关键工序由于碳化硅被视为典型的硬脆性难加工材料，其加工过程面临着效率低、成本高以及对环境不友好等问题为了获得满足要求的碳化硅衬底，研究人员开发了多种精密磨抛加工技术，根据材料去除方式的不同可以分为以机械去除为主

半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；知乎专栏

2024年2月18日从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。一、SiC 单晶生长设备 SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决SiC晶体生长难度大、重复性低、生长良率低

大尺寸碳化硅激光切片设备与技术艾邦半导体网

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「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现

2024年3月7日文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术，以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时，文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力，并邀请业界人士参加PME CHINA 2024，以探索更多相关技术和解决方案

「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案，实现

国际金属加工网 2024年03月07日碳化硅（SiC），是一种具有显著物理和化学特性的无机非金属材料，以其高硬度、抗腐蚀能力、耐高温性能和良好的化学稳定性而著称。这些特性使其在汽车、航空航天、电力电子、通信、军事和医疗设备等关键领域中发挥

机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速

2023年2月27日碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，是新能源领域的理想材料。新能源汽车、光伏、风电等市场需求驱动，Yole预计2027年全球碳化硅功率器件市场将增长6297亿美元，CAGR

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3 天之前碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削/研磨以及抛光，其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化硅衬底最终加工质量优劣的关键工序由于碳化硅被视为典型的硬脆性难加工材料，其加工过程面临着效率低、成本高以及对环境不友好等问题为了获得满足要求的碳化硅衬底，研究人员开发了多种精密磨抛加工技术，根据材料去除方式的不同可以分为以机械去除为主

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国际金属加工网 2024年03月07日碳化硅（SiC），是一种具有显著物理和化学特性的无机非金属材料，以其高硬度、抗腐蚀能力、耐高温性能和良好的化学稳定性而著称。这些特性使其在汽车、航空航天、电力电子、通信、军事和医疗设备等关键领域中发挥

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3 天之前碳化硅的主要加工过程分为切割、磨削/研磨以及抛光，其中磨削/研磨以及抛光这两道工序是决定碳化硅衬底最终加工质量优劣的关键工序由于碳化硅被视为典型的硬脆性难加工材料，其加工过程面临着效率低、成本高以及对环境不友好等问题为了获得满足要求的碳化硅衬底，研究人员开发了多种精密磨抛加工技术，根据材料去除方式的不同可以分为以机械去除为主

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