如果你需要购买磨粉机,而且区分不了雷蒙磨与球磨机的区别,那么下面让我来给你讲解一下: 雷蒙磨和球磨机外形差异较大,雷蒙磨高达威猛,球磨机敦实个头也不小,但是二者的工
随着社会经济的快速发展,矿石磨粉的需求量越来越大,传统的磨粉机已经不能满足生产的需要,为了满足生产需求,黎明重工加紧科研步伐,生产出了全自动智能化环保节能立式磨粉
2024年2月5日 碳化硅晶体的国产化,满足了国家重大需求,带动了20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业,促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链,带动了我国宽禁带半导体产业的发展,促进我国新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。
2024年8月29日 总投资约10亿元! 半导体用碳化硅部件国产化再提速! 2024/08/29 点击 1776 次 中国粉体网讯 8月27日,湖南德智新材料有限公司(以下简称“德智新材”) 半导体用SiC部件材料研发制造基地项目 正式签约落户无锡惠山经开区。 据悉,德智新材在惠山经开区注册成立了无锡德智半导体材料有限公司和子公司。 无锡德智半导体材料有限公司计划 总投资约10亿元,
2024年2月5日 碳化硅晶体的国产化,满足了国家重大需求,带动了20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业,促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链,带动了我国宽禁带半导体产业的发展,促进我国新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。
2023年9月25日 一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(βSiC)微粉和晶须的专业企业。
2024年8月10日 中国碳化硅衬底现有产能主要集中在华东地区,占比近40%,产能主要来自于华东地区的山东省、安徽省及上海市。 华东地区不仅是我国碳化硅衬底产能的集聚区,还是中国芯片制造资源最集中的地区。 得益于优质的上下游产业结构,华东地区吸引了一批碳化硅衬底企业在此投资布局。 2022和2024上半年中国碳化硅衬底产能区域分布 来源:DT芯材 据DT芯材目前
2024年5月31日 中国粉体网讯 5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶,这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯,厚度是目前
碳化硅纳米粉体性能优于传统的碳化硅粉体,能够达到高新技术领域的严格要求,具有更为广泛的用途综述了近年来在高新技术领域发展起来的碳化硅纳米粉体的制备方法,对一些新的制备方法进行了重点介绍,阐述了各种方法的基本原理,特点及研究现状,并对各种方法
2024年5月31日 中国粉体网讯 5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶,这也是国内首次报道和展示厚度超过60mm的碳化硅原生锭毛坯,厚度
研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度9842%,中位粒径为0404μm的微纳米粉体材料,比表面积由08879m~2/g提高到80321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯度955%,中位粒径为0257μm的微纳米粉体材料;比表积由08879m~2/g提高到82773m~2/g,SiC的粒径及比表面积达
2 天之前 “行家说三代半”发现,国产SiC近期在粉料、主驱芯片、液相法及设备等环节均取得实质性突破: 一汽红旗:自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。 连科半导体:液相法碳化硅长晶炉顺利验收。 汇川联合动力:推出SiSiC混合模块电机控制器,已完成A样的开发与验证。
2024年2月5日 碳化硅晶体的国产化,满足了国家重大需求,带动了20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业,促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链,带动了我国宽禁带半导体产业的发展,促进我国新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。
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2024年2月5日 碳化硅晶体的国产化,满足了国家重大需求,带动了20余家国内企业进入下游器件、封装和模块产业,促使国内形成了完整的碳化硅半导体产业链,带动了我国宽禁带半导体产业的发展,促进我国新能源汽车和光伏等产业进入世界前列。
2023年9月25日 一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(βSiC)微粉和晶须的专业企业。
2024年8月10日 中国碳化硅衬底现有产能主要集中在华东地区,占比近40%,产能主要来自于华东地区的山东省、安徽省及上海市。 华东地区不仅是我国碳化硅衬底产能的集聚区,还是中国芯片制造资源最集中的地区。 得益于优质的上下游产业结构,华东地区吸引了一批碳化硅衬底企业在此投资布局。 2022和2024上半年中国碳化硅衬底产能区域分布 来源:DT芯材 据DT芯材目前
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碳化硅纳米粉体性能优于传统的碳化硅粉体,能够达到高新技术领域的严格要求,具有更为广泛的用途综述了近年来在高新技术领域发展起来的碳化硅纳米粉体的制备方法,对一些新的制备方法进行了重点介绍,阐述了各种方法的基本原理,特点及研究现状,并对各种方法
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研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度9842%,中位粒径为0404μm的微纳米粉体材料,比表面积由08879m~2/g提高到80321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯度955%,中位粒径为0257μm的微纳米粉体材料;比表积由08879m~2/g提高到82773m~2/g,SiC的粒径及比表面积达
2 天之前 “行家说三代半”发现,国产SiC近期在粉料、主驱芯片、液相法及设备等环节均取得实质性突破: 一汽红旗:自主设计的碳化硅功率芯片完成首次流片。 连科半导体:液相法碳化硅长晶炉顺利验收。 汇川联合动力:推出SiSiC混合模块电机控制器,已完成A样的开发与验证。
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2023年9月25日 一家专门从事高品质碳化硅(SiC)微粉和晶须及其下游制品等研发、生产、销售的国家级高新技术企业,自主发明实现工业化生产立方碳化硅(βSiC)微粉和晶须的专业企业。
2024年8月10日 中国碳化硅衬底现有产能主要集中在华东地区,占比近40%,产能主要来自于华东地区的山东省、安徽省及上海市。 华东地区不仅是我国碳化硅衬底产能的集聚区,还是中国芯片制造资源最集中的地区。 得益于优质的上下游产业结构,华东地区吸引了一批碳化硅衬底企业在此投资布局。 2022和2024上半年中国碳化硅衬底产能区域分布 来源:DT芯材 据DT芯材目前
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碳化硅纳米粉体性能优于传统的碳化硅粉体,能够达到高新技术领域的严格要求,具有更为广泛的用途综述了近年来在高新技术领域发展起来的碳化硅纳米粉体的制备方法,对一些新的制备方法进行了重点介绍,阐述了各种方法的基本原理,特点及研究现状,并对各种方法
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研究结果表明:水流分级得到SiC微纳米粉体纯度9842%,中位粒径为0404μm的微纳米粉体材料,比表面积由08879m~2/g提高到80321m~2/g,高能冲击磨得到碳化硅微纳米粉体纯度955%,中位粒径为0257μm的微纳米粉体材料;比表积由08879m~2/g提高到82773m~2/g,SiC的粒径及比表面积达
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